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体育外围:DDR电源规划什么是拉电流什么是灌电流?

2021-09-06 08:51:20 | 来源:世界杯体育登录地址 作者:下注世界杯外围app入口

  buffer供电的电源,VDD是给可是一般的运用中都是把VDDQ和VDD一个电源运用。有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD运用同一电源即可。

  电源规划时,需求考虑电压,电流是否满意要求,电源的上电次序和电源的上电时刻,单调性等。

  电流需求依据运用的不同芯片,及芯片个数等进行核算。因为DDR的电流一般都比较大,所以PCB规划时,假如有一个完好的电源平面铺到管脚上,是最理想的状况,而且在电源进口加大电容储能,每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。

  参阅电源Vref要求跟从VDDQ,而且Vref=VDDQ/2,所以可以运用电源芯片供给,也可以选用电阻分压的方法得到。因为Vref一般电流较小,在几个mA~几十mA的数量级,所以用电阻分压的方法,即节省本钱,又能在布局上比较灵敏,放置的离Vref管脚比较近,严密的跟从VDDQ电压,所以主张运用此种方法。需求留意分压用的电阻在100~10K均可,需求运用1%精度的电阻。

  Vref参阅电压的每个管脚上需求加10nF的点容滤波,而且每个分压电阻上也并联一个电容较好。

  VTT为匹配电阻上拉到的电源,VTT=VDDQ/2。DDR的规划中,依据拓扑结构的不同,有的规划运用不到VTT,如操控器带的DDR器材比较少的情况下。假如运用VTT,则VTT的电流要求是比较大的,所以需求走线运用铜皮铺曩昔。而且VTT要求电源即可以供给电流,又可以灌电流(吸电流)。一般情况下可以运用专门为DDR规划的发生VTT的电源芯片来满意要求(从前运用过程中用了简略的线性稳压器也没发现呈现什么问题,这种方法仍是不主张的!)。

  而且,每个拉到VTT的电阻旁一般放一个10Nf~100nF的电容,整个VTT电路上需求有uF级大电容进行储能。

  一般情况下,DDR的数据线都是一驱一的拓扑结构,且DDR2和DDR3内部都有ODT做匹配,所以不需求拉到VTT做匹配即可得到较好的信号质量。而地址和操控信号线假如是多负载的情况下,会有一驱多,而且内部没有ODT,其拓扑结构为走T点的结构,所以常常需求运用VTT进行信号质量的匹配操控。

  从上面简略的介绍可以看到 ,用来匹配的电源VTT是需求SINK/SOURCE的,这就和我介绍的标题扯上联系啦,现在咱们的工业级产品中悉数运用TI的TPS51200,电路简略有用,低本钱,具体的介绍仍是多参阅一下TPS51200的datasheet。

  一个重要的条件:灌电流和拉电流是针对端口而言的,而且都是针对IC的输出端口。名词解释——灌:注入、填充,由外向内、由虚而实。渴了,来一大杯鲜榨橙汁,一饮而尽,饱了,这叫“灌”。灌电流(sink current) ,对一个端口而言,假如电流方向是向其内部活动的则是“灌电流”,比方一个IO经过一个电阻和一个LED衔接至VCC,当该IO输出为逻辑0时能不能点亮LED,去查该器材手册中sink current参数。名词解释——拉:流出、排空,由内向外,由实而虚。一大杯鲜橙汁喝了,过会儿,憋的慌,赶忙找卫生间,一阵“大雨”,舒坦了,这叫“拉”。拉电流(sourcing current),对一个端口而言,假如电流方向是向其外部活动的则是“拉电流”,比方一个IO经过一个电阻和一个LED连至GND,当该IO输出为逻辑1时能不能点亮LED,去查该器材手册中sourcing current参数。

  拉电流和灌电流是衡量电路输出驱动才干(留意:拉、灌都是对输出端而言的,所以是驱动才干)的参数,这种说法一般用在数字电路中。这儿首要要阐明,芯片手册中的拉、灌电流是一个参数值,是芯片在实践电路中答应输出端拉、灌电流的上限值(答应最大值)。而下面要讲的这个概念是电路中的实践值。因为数字电路的输出只要高、低(0,1)两种电平值,高电平输出时,一般是输出端对负载供给电流,其供给电流的数值叫“拉电流”;低电平输出时,一般是输出端要吸收负载的电流,其吸收电流的数值叫“灌(入)电流”。

  关于输入电流的器材而言:灌入电流和吸收电流都是输入的,灌入电流是被迫的,吸收电流是自动的。假如外部电流经过芯片引脚向芯片内‘流入’称为灌电流(被灌入);反之假如内部电流经过芯片引脚从芯片内‘流出’称为拉电流(被拉出)

  当逻辑门输出端是低电平时,灌入逻辑门的电流称为灌电流,灌电流越大,输出端的低电平就越高。由三极管输出特性曲线也可以看出,灌电流越大,饱满压降越大,低电平越大。可是,逻辑门的低电平是有必定约束的,它有一个最大值UOLMAX。在逻辑门作业时,不答应超越这个数值,TTL逻辑门的规范规矩UOLMAX ≤0.4~0.5V。所以,灌电流有一个上限。

  当逻辑门输出端是高电平时,逻辑门输出端的电流是从逻辑门中流出,这个电流称为拉电流。拉电流越大,输出端的高电平就越低。这是因为输出级三极管是有内阻的,内阻上的电压降会使输出电压下降。拉电流越大,输出端的高电平越低。可是,逻辑门的高电平是有必定约束的,它有一个最小值UOHMIN。在逻辑门作业时,不答应超越这个数值,TTL逻辑门的规范规矩UOHMIN ≥2.4V。所以,拉电流也有一个上限。

  可见,输出端的拉电流和灌电流都有一个上限,不然高电平输出时,拉电流会使输出电平低于UOHMIN;低电平输出时,灌电流会使输出电平高于UOLMAX。所以,拉电流与灌电流反映了输出驱动才干。(芯片的拉、灌电流参数值越大,意味着该芯片可以接更多的负载,因为,例如灌电流是负载给的,负载越多,被灌入的电流越大)

  因为高电平输入电流很小,在微安级,一般可以不用考虑,低电平电流较大,在毫安级。所以,往往低电平的灌电流不超支就不会有问题。用扇出系数来阐明逻辑门来驱动同类门的才干,扇出系数No是低电平最大输出电流和低电平最大输入电流的比值。在集成电路中, 吸电流、拉电流输出和灌电流输出是一个很重要的概念。拉即泄,自动输出电流,是从输出口输出电流。灌即充,被迫输入电流,是从输出端口流入吸则是自动吸入电流,是从输入端口流入吸电流和灌电流便是从芯片外电路经过引脚流入芯片内的电流,差异在于吸收电流是自动的,从芯片输入端流入的叫吸收电流。灌入电流是被迫的,从输出端流入的叫灌入电流。

  拉电流是数字电路输出高电平给负载供给的输出电流,灌电流时输出低电平是外部给数字电路的输入电流,它们实践便是输入、输出电流才干。吸收电流是对输入端(输入端吸入)而言的;而拉电流(输出端流出)和灌电流(输出端被灌入)是相对输出端而言的。

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  FAN5236 宽输入电压规模双通道输出/ DDR PWM / PFM操控器

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  NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  03是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体系而规划,其间空间是要害考虑要素。 NCP51403坚持快速瞬态呼应,仅需求20 uF的最小输出电容。 NCP51403支撑长途感应功用和DDR VTT总线终端的一切电源要求。 NCP51403还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支撑2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压规模:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态呼应 PGOOD - 监控VTT规矩的逻辑输出引脚 VRI - 参阅输入答应直接或经过电阻分压器进行灵敏的输入盯梢 EN - 封闭形式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压确定和过流约束 运用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器中心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和作业站 电路图、引脚图和封装图...

  10是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体系而规划,其间空间是要害考虑要素。 NCP51510坚持快速瞬态呼应,而且只需求10uF的最小VTT负载电容即可完结输出安稳性。 NCP51510支撑长途感应和DDR VTT总线终端的一切电源要求。 NCP51510还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51510选用热功率高的DFN10暴露焊盘封装,额外绿色和无铅。 特性 支撑最高3 A的负载(典型值) ),输出是过流维护 DDRI,DDRII,DDRIII源/接纳电流 具有热关断维护功用的集成MOSFET PGOOD输出引脚监督VTT输出调理状况 SS输入引脚用于暂停封闭形式 灵敏电压盯梢的VRI输入参阅 用于遥感的VTTS输入(开尔文衔接) 内置软发动,欠压确定 运用 DDR内存终端 台式电脑,笔记本电脑和作业站 服务器和网络设备 电信/数据通讯,GSM基站 图形处理器中心耗材 机顶盒,LCDTV / PDPTV,复印机/打印机 为芯片组/ RAM供给低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电路图、引脚图和封装图...

  NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  00是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体系而规划,其间空间是要害考虑要素.NCP51400坚持快速瞬态呼应,仅需求最小的输出电容20 F. NCP51400支撑长途感应功用和DDR VTT总线终端的一切电源要求。 NCP51400还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支撑2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压规模:1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态呼应 PGOOD - 监督VTT规矩的逻辑输出引脚 EN - 封闭形式的逻辑输入引脚 VRI - 参阅输入答应灵敏的输入盯梢直接或经过电阻分频器 内置软发动,欠压确定和过流约束 运用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器中心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,笔记本电脑和作业站 电信/数据通讯,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

  00是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体系而规划,其间空间是要害考虑要素。 NCP51200坚持快速瞬态呼应,仅需求20 uF的最小输出电容。 NCP51200支撑长途感应功用和DDR VTT总线终端的一切电源要求。 NCP51200还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200选用热功率高的DFN10暴露焊盘封装,额外绿色和无铅。 特性 输入电压轨:支撑2.5和3.3 V Rails PVCC电压规模:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态呼应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规矩 封闭形式的EN-Logic输入引脚 VRI参阅输入答应直接或经过电阻分压器进行灵敏的输入盯梢 遥感(VTTS) ) 内置软发动,欠压确定和过流约束 运用 终端产品 DDR内存中止 图形处理器中心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,笔记本电脑和作业站 服务器和网络设备 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  01是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体系而规划,其间空间是要害考虑要素。 NCP51401坚持快速瞬态呼应,仅需求20 F的最小输出电容.NCP51401支撑长途感应功用和DDR VTT总线终端的一切电源要求。 NCP51401还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支撑2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压规模:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态呼应 PGOOD - 监控VTT规矩的逻辑输出引脚 VRI - 参阅输入答应直接或经过电阻分压器进行灵敏的输入盯梢 EN - 封闭形式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压确定和过流约束 运用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器中心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和作业站 电路图、引脚图和封装图...

  NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

  02是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声体系而规划,其间空间是要害考虑要素。 NCP51402坚持快速瞬态呼应,仅需求20μF的最小输出电容。 NCP51402支撑长途感应功用和DDR VTT总线终端的一切电源要求。 NCP51402还可用于需求动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支撑2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压规模:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态呼应 PGOOD - 监控VTT规矩的逻辑输出引脚 VRI - 参阅输入答应直接或经过电阻分压器进行灵敏的输入盯梢 EN - 封闭形式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压确定和过流约束 运用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器中心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和作业站 电路图、引脚图和封装图...

  99是一款线性稳压器,旨在为DDR-2和DDR-3存储器运用供给安稳的VTT端接电压。稳压器可以为DDR-2和DDR-3自动供给和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,一起将VTT输出电压调理到+ -10mV。输出端接电压经过衔接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调理到盯梢VDDQ2。 特性 支撑DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支撑低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容安稳 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态呼应 内置软发动 待机或挂起形式关机 集成散热和CurrentLimit维护 运用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,笔记本电脑和VGA卡内存中止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...

  98是一款简略,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器可以为DDR-I自动供给或吸收高达-1.5 A,或许DDR-II高达-0.5 A,-III,一起将输出电压调理到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 关于DDRI,DDRII,DDRIII源/接纳电流 支撑DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热维护功用的集成功率MOSFET 运用10UF陶瓷VTT电容器安稳 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)形式 内置软发动 机顶盒,数字电视,打印机 运用 台式电脑,笔记本电脑和作业电台 显卡DDR内存终端 嵌入式体系 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...

  45是一款线性稳压器,旨在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器运用供给安稳的VTT端接电压。稳压器可以自动供给和吸收±1.8 A峰值电流,一起将输出电压调理到±20 mV以内。输出端接电压经过衔接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调理,以盯梢VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线路和负载瞬态供给超快速呼应。其他功用包含源/灌电流约束,软发动和片上热关断维护。 特性 关于DDR VTT运用,源/汇电流 支撑DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支撑LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 运用仅陶瓷(极低ESR)电容器安稳 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态呼应 内置软件-Start 关机待机或挂起形式 集成热量和限流维护 运用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,笔记本电脑和VGA卡内存中止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...

  90是一款简略,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器可以为DDR-I自动供给或吸收高达-1.5 A A,或许DDR-II高达-0.5 A,-III,一起将输出电压调理到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 关于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 支撑DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热维护的集成功率MOSFET 运用10UF陶瓷VTT电容器安稳 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)形式 内置软发动 运用 台式电脑,笔记本电脑和作业站 嵌入式体系 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...

  V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调理器,合适DDR中止电轨等盯梢运用.V DDQ 输入包含一个可以削减总电路尺度和元件数量的内部2 :1电阻分压器。该调理器在7 V到18 V的输入电压规模内作业,并支撑4 A的接连负载电流。假如V IN ,P VIN 和P VCC 衔接在一同,绕开内部线性调理器,则该器材可以在5V电轨(±10%)下作业。该器材选用飞兆安稳导通时刻操控结构,可供给超卓的瞬态呼应,并坚持相对安稳的开关频率。开关频率和吸收过流维护功用可装备,为各种运用供给灵敏的解决方案。输出过压和热关断维护功用可以维护器材在毛病期间免受危害。热关断功用被激活后,到达正常作业温度时,滞后功用会重新发动器材。 特性 V IN 规模:在7 V到18 V时运用内部线性偏压稳压器 V IN 规模:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 衔接到旁路内部调理器 高功率 接连输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 超卓的线路和负载瞬态呼应 输出电压规模:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可装备软...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式核算的同步降压操控器

  信息描绘 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转化器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的轿车类 DDR 电源解决方案

  信息描绘 TPS54116-Q1 器材是一款功用全面的 6V、4A 同步降压转化器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参阅输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器经过集成 MOSFET 和减小电感尺度来最大极限减小解决方案尺度,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满意噪声灵敏型 运用 的需求,而且可以与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载规模内坚持为固定值。功率经过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大极限的提高。逐周期峰值电流约束在过流状况下维护器材,而且可经过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,然后针对小尺度电感进行优化。VTT 终端稳压器仅运用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可坚持快速瞬态呼应,然后削减外部组件数量。TPS54116-Q1 运用 VTT 进行长途感测,然后完结最佳的稳压作用。该器材可运用使能引脚进入关断形式,然后使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可经过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器材具有全集成特性,而且选用小尺...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 形式同步降压集成 FET 转化器

  信息描绘 TPS53317A 器材是一款规划为首要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它可以供给一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功用。TPS53317A 器材选用 D-CAP+ 运转形式,简略易用,所需外部组件数较少并可供给快速瞬态呼应。 该器材还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压运用。此外,该器材支撑具有严厉电压调理功用的 6A 完好灌电流输出。该器材具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可供给集成压降支撑、外部盯梢功用、预偏置发动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功用、V5IN 引脚欠压确定 (UVLO) 维护功用,支撑选用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器材支撑的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 规模内可调。TPS53317A 器材选用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,契合 RoHS 规范而且无铅),其间运用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技能,其额外运转温度规模为 –40°C 至 85°C。特性 选用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技能支撑 DDR 内存...

  TPS51716 完好 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

  信息描绘 TPS51716 用最少整体本钱和最小空间供给一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存体系的完好电源。 它集成了同步降压稳压器操控器 (VDDQ),此操控器具有 2A 灌电流/拉电流盯梢 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 选用与 500kHz 或 670kHz 作业频率相耦合的 D-CAP2™ 形式,此形式在无需外部补偿电路的情况下可支撑陶瓷输出电容器。 VTTREF 盯梢 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 可以供给 2A 灌电流/拉电流峰值电流功用的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器材特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 供给丰厚、有用的功用以及超卓的电源功用。 它支撑灵敏功率级操控,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状况并在 S4/S5 状况中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软封闭)。 它包含具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断维护。TPS51716 从 TI 出厂时选用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装而且其额外环境温度规模介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压操控器 (VDDQ)转化电压规模:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压操控器,2A LDO,缓冲参阅

  信息描绘 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  信息描绘The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...

  TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参阅输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

  信息描绘 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参阅输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器材专门针对低输入电压、低本钱、低外部元件数的空间受限类体系而规划。TPS51206 可坚持快速的瞬态呼应,而且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支撑长途感测功用,而且可满意 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的一切电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流才干。该器材支撑一切 DDR 电源状况,在 S3 状况下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状况下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 选用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额外作业温度规模为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支撑 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压规模:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压规模:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参阅输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支撑高阻态(S3 状况)和软中止(S4 和 S5 状况),经过 ...

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